A degradação extrínseca de diodos orgânicos emissores de luz (OLEDs) permanece como uma questão crucial, especialmente no que se refere à degradação, devido à exposição à luz. Poucos estudos existem e faltam dados a respeito dos produtos de fotodegradação e respectivos mecanismos, responsáveis pela extinção da luminescência. Com o objetivo de investigar os mecanismos de degradação causados pela exposição à luz de filmes finos de Alq3 usado com sucesso como camada transportadora de elétrons e material emissivo na fabricação de OLEDs, a fotodegradação foi monitorada em função da irradiação com luz UV através das técnicas de fotoabsorção e de fotoemissão nas bordas 1s do carbono, do nitrogênio e do oxigênio bem como nas bordas 2s e 2p do alumínio. A influência da exposição à luz foi simulada com o emprego de três comprimentos de onda diferentes: 254, 365 e 307 nm, os dois primeiros correspondendo aproximadamente a máximos de absorção no espectro de UV do Alq3. Após exposição, todos os espectros apresentam um decréscimo nos sinais de fotoabsorção e de fotoemissão. Entretanto, enquanto a radiação de 307 nm causa mudanças menores nos espectros de NEXAFS, modificações mais acentuadas são observadas para a exposição a 254 e 365 nm. Medidas de fotoemissão para filmes finos de Alq3 não-irradiado e irradiado com luz de 307 nm também foram conduzidas. Embora o sinal correspondente ao alumínio mantém-se praticamente intacto, mudanças mais significativas são observadas nas intensidades e deslocamentos dos picos nas bordas 1s do carbono, do nitrogênio e do oxigênio.
The extrinsic degradation of organic light emitting diodes (OLEDs) remains a critical issue especially concerning degradation due to exposure to light. Very few studies exist and little is known about the related photodegradation products and mechanisms, responsible for quenching of luminescence. In order to gain insight into the degradation mechanisms caused by light exposure of Alq3 thin films, used successfully as electron transport layer and emissive material in the fabrication of OLEDs, we have monitored UV photodegradation through synchrotron radiation-based photoabsorption and photoemission techniques at the carbon, nitrogen, and oxygen 1s edges as well as at the aluminum 2s and 2p edges. The influence of light exposure was simulated using three different wavelengths, namely 254, 365 and 307 nm, the first two nearly corresponding to absorption maxima in the UV spectrum of Alq3. After exposure all spectra show decrease of the photoabsorption and photoemission signals. However, while irradiation at 307 nm causes lesser changes in the total electron yield NEXAFS spectra, strong spectral modifications are observed for 254 and 365 nm exposures. Core level photoemission measurements from non-irradiated and irradiated Alq3 thin films at 307 nm were also performed. While the Al peaks maintained almost intact, changes in peak intensities as well as shifts for carbon, nitrogen and oxygen are much more dramatic.
